芯研所援引互联网消息，近日，在2021 IEEE国际电子器件会议（IEDM）上，英特尔公布了在封装、晶体管微缩、量子物理学方面的多项关键技术新突破，其中一项名为GAA RibbonFET（Gate-All-Around RibbonFET）技术再次引发行业热议，该技术能够通过堆叠多个（CMOS）晶体管，实现高达30%至50%的逻辑微缩提升，从而使得每平方毫米上容纳更多晶体管，以继续推进摩尔定律的发展。

众所周知，晶体管刚开始是二维的形式，后来变成FinFET，就是变成三维封装，再后来变成GAA，就是把NMOS叠在左边，PMOS叠在右边，往上叠了几层，而3D就是直接把NMOS和PMOS直接叠在一起，这样相当于面积减少了一半，面积利用率提高，微缩技术达到了面积减少一半的要求。

而英特尔在论文中宣布了GAA RibbonFET技术在3D CMOS堆叠上的新突破，共有两种方法。方法一是依序，具体的工艺流程是将下面一层晶圆先做好，再将上面一层翻过来再做另外一层晶圆，这样能够有效提高性能；方法二是自对准，一种是通过光刻机对准，另一种叫做自我对准，要通过干蚀或者是沉积手段让晶圆自动对准。英特尔的自对准实现了55纳米的栅极间距，英特尔声称“这是非常了不起的突破”。 

实际上，随着晶圆制程越来越逼近物理极限，所有的业界同仁都在积极寻找新的解决思路和办法，以延缓摩尔定律的失效，而英特尔该项技术的突破，到底能够真的投入量产，我们还需要静待观察。

硅晶圆 晶圆8寸光刻片集成电路半导体硅片芯片IC中芯展会 12寸光刻晶圆06(直径30CM) 晶圆盒+顺丰

[经销商] 京东商城

[产品售价] 204元

进入购买

本文属于原创文章，如若转载，请注明来源：晶体管微缩提升50%！Intel新技术延续摩尔定律https:https://diy.zol.com.cn/784/7841369.html

纠错与问题建议标签：芯头条

标签:

上一篇：DIY从入门到放弃：399元1T的SSD坑哭你

下一篇：【手慢无】原价180的发光鼠标垫现39元